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5STP26N5800

更新时间： 2024-01-07 17:53:01

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6页	320K
描述
Phase Control Thyristor

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5STP26N5800 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CEDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.7	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	400 mA	JESD-30 代码：	O-CEDB-X4
通态非重复峰值电流：	45000 A	元件数量：	1
端子数量：	4	最大通态电流：	2650000 A
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4410 A
断态重复峰值电压：	4900 V	重复峰值反向电压：	4900 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	END
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

5STP26N5800 数据手册

_DSM

I_TAVM

I_TRMS

I_TSM

_T0

6500 V

2810 A

4410 A

Phase Control Thyristor

= 45000

5STP 26N6500

1.12 V

0.29

mΩ

Doc. No. 5SYA1001-03 Jan. 02

• Patented free-floating silicon technology

• Low on-state and switching losses

• Designed for traction, energy and industrial applications

• Optimum power handling capability

• Interdigitated amplifying gate

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Symbol

Conditions

5STP 26N6500 5STP 26N6200 5STP 26N5800

V_DSM,V_RSMf = 5 Hz, t_p= 10ms

V_DRM,V_RRMf = 50 Hz, t_p= 10ms

6500 V

5600 V

7000 V

6200 V

5300 V

6700 V

5800 V

4900 V

6300 V

V_RSM1

t_p= 5ms, single pulse

dV/dt_crit

Exp. to 0.67 x V_DRM, T_j= 125°C

2000 V/µs

Characteristic values

Parameter

Forwarde leakage current

Reverse leakage current

Symbol Conditions

I_DSMV_DSM, T_j= 125°C

I_RSMV_RSM, T_j= 125°C

min

typ

max

600

Unit

V_DRM/ V_RRMare equal to V_DSM/ V_RSMvalues up to T_j= 110°C

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

F_M

min

typ

max

108

100

Unit

Mounting force

Acceleration

Characteristic values

Parameter

Device unclamped

Device clamped

m/s²

Symbol Conditions

typ

2.9

max

Unit

Weight

Surface creepage distance

Air strike distance

D_S

D_a

¹⁾Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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