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5STP20F1201

更新时间： 2024-02-22 00:17:43

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Phase Control Thyristor

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5STP20F1201 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	250 mA	JESD-30 代码：	O-CXDB-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	2987 A	断态重复峰值电压：	1200 V
重复峰值反向电压：	1200 V	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

5STP20F1201 数据手册

V_DRM= 1600

I_T(AV)M= 1901

I_T(RMS)= 2987

Phase Control Thyristor

I_TSM

V_(T0)

r_T

= 27.3×10³

5STP 20F1601

= 0.948

= 0.152

Doc. No. 5SYA1061-01 March 05

Low on-state and switching losses

Designed for traction, energy and industrial applications

Optimum power handling capability

Blocking

Maximum rated values ¹⁾

Symbol Conditions

V_DRM,V_RRMf = 50 Hz, t_p= 10 ms

5STP 20F1601 5STP 20F1401 5STP 20F1201

1600 V

1400 V

1200 V

dV/dt_crit

Exp. to 1070 V, T_vj= 125°C

1000 V/µs

Characteristic values

Parameter

Symbol Conditions

I_DRMV_DRM, T_vj= 125°C

I_RRMV_RRM, T_vj= 125°C

min

typ

max

150

Unit

Forward leakage current

Reverse leakage current

Mechanical data

Maximum rated values ¹⁾

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Mounting force

Acceleration

F_M

Device unclamped

Device clamped

m/s²

Acceleration

Characteristic values

Parameter

100

Symbol Conditions

typ

max

0.48

Unit

Weight

Surface creepage distance

Air strike distance

D_S

D_a

1) Maximum rated values indicate limits beyond which damage to the device may occur

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

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