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5SDF08H6005

更新时间： 2024-02-25 14:24:08

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ABB		二极管快恢复二极管快速恢复二极管
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6页	111K
描述
Fast Recovery Diode

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5SDF08H6005 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	H, 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
应用：	FAST RECOVERY	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	6.85 V	JESD-30 代码：	O-CEDB-N2
最大非重复峰值正向电流：	40000 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	115 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	585 A	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	5500 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	END
Base Number Matches：	1

5SDF08H6005 数据手册

5SDF 08H6005

Thermal

Maximum rated values ^{Note 1}

Parameter

Symbol Conditions

min

typ

max

Unit

Operating junction

temperature range

T_vj

-40

115

°C

Storage temperature range T_stg

Characteristic values

Parameter

-40

125

°C

Symbol Conditions

min

max

Unit

Thermal resistance junction R_th(j-c)

to case

Double-side cooled

F_m= 42...46 kN

K/kW

R_th(j-c)AAnode-side cooled

F_m= 42...46 kN

K/kW

R_th(j-c)CCathode-side cooled

F_m= 42...46 kN

Thermal resistance case to R_th(c-h)

heatsink

Double-side cooled

F_m= 42...46 kN

R_th(c-h)

Single-side cooled

F_m= 42...46 kN

Analytical function for transient thermal

impedance:

-t/t_i

(t) = R (1-e )

th(j-c)

th i

i=1

R_{th i}(K/kW)

7.713

0.5316

2.766

0.0668

1.044

0.0078

0.480

0.0020

t_i(s)

Fig. 1 Transient thermal impedance (junction to

case) vs. time in analytical and graphical form

(max. values)

ABB Switzerland Ltd, Semiconductors reserves the right to change specifications without notice.

Doc. No. 5SYA1116-01 Oct. 06

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