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5KP12A

更新时间： 2024-01-09 05:11:05
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鲁光 - LGE 二极管
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4页 1224K
描述
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5KP12A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：2.15
Is Samacsys：N最大击穿电压：15.3 V
最小击穿电压：13.3 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：5000 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-50 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：8 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：12 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

5KP12A 数据手册

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5KP Series  
Reverse Voltage: 5.0 to 440 V  
Peak Pulse Power: 5000 W  
Axial Lead  
Transient Voltage Suppressors  
Features  
R-6/P600  
●
Glass passivated chip  
●
5000 W peak pulse power capability with a  
10/1000 μs waveform, repetitive rate (duty  
cycle):0.01 %  
DIA.  
1.000 [25.40]  
MIN  
0.052 1.32  
●
Low leakage  
0.048  
[ ]  
1.22  
●
Uni and Bidirectional unit  
●
Excellent clamping capability  
●
Very fast response time  
0.360 9.14  
0.340 8.64  
●
RoHS compliant  
[
]
Mechanical Data  
●
Case: Molded plastic  
DIA.  
0.360 9.14  
0.340 8.64  
●
Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
[
]
●
Lead: Solderable per MIL-STD-202, method  
208 guranteed  
1.000 [25.40]  
MIN  
●
Polarity: Color band denotes cathode end  
Dimensions :  
inch [ mm ]  
except Bipolar  
●
Mounting position: Any  
Maximum Ratings(TA=25℃ unless otherwise noted)  
Value  
Unit  
W
Parameter  
Symbol  
Peak power dissipation with a 10/1000μs waveform(1)  
PPP  
IPP  
PD  
5000  
See Next Table  
8.0  
Peak pulse current wih a 10/1000μs waveform(1)  
Power dissipation on infinite heatsink at TL = 75 °C  
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave  
A
W
IFSM  
500  
A
unidirectional only(2)  
Maximum instantaneous forward voltage at 100 A for  
unidirectional only(3)  
VF  
3.5/5.0  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to +150  
°C  
Note:  
(1)Non-repetitive current pulse per Fig.5 and derated above TA= 25 °C per Fig.1  
(2)Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum  
(3)VF<3.5V for devices of VBR<200V and VF<5.0V for devices of VBR>201V  
http://www.lgesemi.com  
mail:lge@lgesemi.com  
Revision:20170701-P1  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
5KP12A/100-E3 VISHAY DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup

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5KP12A/4 VISHAY Trans Voltage Suppressor Diode, 12V V(RWM), Unidirectional,

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