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5CEBA2F23C8

更新时间： 2024-01-22 12:30:20

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英特尔 - INTEL		栅可编程逻辑
页数	文件大小	规格书
64页	1355K
描述
Field Programmable Gate Array, PBGA484, FBGA-484

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技术参数
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5CEBA2F23C8 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA,
针数：	484	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	JESD-30 代码：	S-PBGA-B484
长度：	23 mm	端子数量：	484
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	可编程逻辑类型：	FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY
座面最大高度：	2 mm	最大供电电压：	1.13 V
最小供电电压：	1.07 V	标称供电电压：	1.1 V
表面贴装：	YES	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	23 mm	Base Number Matches：	1

5CEBA2F23C8 数据手册

Electrical Characteristics

Page 7

I/O Pin Leakage Current

Table 6 lists the Cyclone V I/O pin leakage current specifications.

Table 6. I/O Pin Leakage Current for Cyclone V Devices

Symbol

I_I

I_OZ

Description

Input pin

Tri-stated I/O pin

Conditions

V_I= 0 V to V_CCIOMAX

V_O= 0 V to V_CCIOMAX

Min

–30

Typ

—

Max

Unit

µA

—

µA

Bus Hold Specifications

Table 7 lists the Cyclone V device bus hold specifications. The bus-hold trip points are

based on calculated input voltages from the JEDEC standard.

Table 7. Bus Hold Parameters for Cyclone V Devices

V_CCIO(V)

Parameter Symbol Conditions

1.2

1.5

1.8

2.5

3.0

3.3

Unit

Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max

Bus-hold,

low,

sustaining

current

V_IN> V_IL

(max.)

I_SUSL

I_SUSH

I_ODL

—

–12

—

–30

—

–50

—

–70

—

–70

—

µA

Bus-hold,

high,

sustaining

current

V_IN< V_IH

(min.)

–8

—

Bus-hold,

low,

overdrive

current

0V < V_IN

V_CCIO

125

–125

175

–175

200

–200

300

500

500 µA

–500 µA

Bus-hold,

high,

overdrive

current

0V < V_IN

V_CCIO

I_ODH

—

–300

1.7

—

–500

—

Bus-hold

trip point

V_TRIP

—

0.3

0.9 0.375 1.125 0.68 1.07 0.7

0.8

December 2013 Altera Corporation

Cyclone V Device Datasheet

1...4 5 678 9 10...64

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