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5962F0324801VXC

更新时间： 2024-01-19 00:55:23
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 驱动器接口集成电路信息通信管理
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
Radiation Hardened, 9A, Non-Inverting Power MOSFET Driver

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5962F0324801VXC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DFP
包装说明：DFP, FL16,.3针数：16
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.24
Is Samacsys：N高边驱动器：YES
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVERJESD-30 代码：R-CDFP-F16
JESD-609代码：e4功能数量：1
端子数量：16最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C标称输出峰值电流：9 A
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DFP
封装等效代码：FL16,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：8/18 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class V座面最大高度：2.92 mm
子类别：MOSFET Drivers最大供电电压：18 V
最小供电电压：8 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：MILITARY
端子面层：GOLD端子形式：FLAT
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED总剂量：300k Rad(Si) V
宽度：6.73 mmBase Number Matches：1

5962F0324801VXC 数据手册

 浏览型号5962F0324801VXC的Datasheet PDF文件第1页 
ISL74422BRH  
Die Characteris tics  
DIE DIMENSIONS:  
Backside Finish:  
4191µm x 4826µm (165 mils x 190 mils)  
Silicon  
Thickness: 483µm ± 25.4µm (19 mils ± 1 mil)  
ASSEMBLY RELATED INFORMATION:  
INTERFACE MATERIALS:  
Glassivation:  
Substrate Potential:  
Unbiased (DI)  
Type: PSG (Phosphorous Silicon Glass)  
Thickness: 8.0kÅ ± 1.0kÅ  
ADDITIONAL INFORMATION:  
Worst Case Current Density:  
Top Metallization:  
5
2
<2.0 x 10 A/cm  
Type: AlSiCu  
Transistor Count:  
Thickness: 16.0kÅ ± 2kÅ  
40  
Substrate:  
Radiation Hardened Silicon Gate  
Dielectric Isolation  
Metallization Mas k Layout  
ISL74422BRH  
(3) VS (IB)  
(15, 16) VS (OB)  
(13) +VOUT  
(4) VIN  
(12) -VOUT  
(5) GND (IB)  
(8, 9) GND (OB)  
All Intersil U.S. products are manufactured, assembled and tested utilizing ISO9000 quality systems.  
Intersil Corporation’s quality certifications can be viewed at www.intersil.com/design/quality  
Intersil products are sold by description only. Intersil Corporation reserves the right to make changes in circuit design, software and/or specifications at any time without  
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