生命周期: | Obsolete | 包装说明: | DIP, |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.83 | 其他特性: | OVERVOLTAGE PROTECTION |
模拟集成电路 - 其他类型: | DIFFERENTIAL MULTIPLEXER | JESD-30 代码: | R-CDIP-T16 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 19.05 mm |
标称负供电电压 (Vsup): | -15 V | 信道数量: | 4 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
标称断态隔离度: | 50 dB | 通态电阻匹配规范: | 126 Ω |
最大通态电阻 (Ron): | 1800 Ω | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 标称供电电压 (Vsup): | 15 V |
表面贴装: | NO | 最长断开时间: | 1000 ns |
最长接通时间: | 1000 ns | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | GOLD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 总剂量: | 10k Rad(Si) V |
宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962D9669401VVC | ETC | x1 SRAM |
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5962D9669401VXC | ETC | x1 SRAM |
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5962D9669501VVC | ETC | x4 SRAM |
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5962D9669501VVX | WEDC | IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 250 ns, CDIP, Static RAM |
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5962D9669501VXC | ETC | x4 SRAM |
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5962D9669501VXX | WEDC | IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 250 ns, CDFP, Static RAM |
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