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5962D9669401VXC

更新时间: 2024-01-14 14:16:31
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其他 - ETC 静态存储器
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15页 637K
描述
x1 SRAM

5962D9669401VXC 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:250 nsJESD-609代码:e4
内存密度:4096 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:4KX1
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):6.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
总剂量:10k Rad(Si) V

5962D9669401VXC 数据手册

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