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5962D9960701TUC

更新时间： 2024-02-15 01:29:40

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5962D9960701TUC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DFP,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.67
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	25 ns
JESD-30 代码：	R-CDFP-F36	JESD-609代码：	e0/e4
长度：	23.368 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class T	座面最大高度：	4.4196 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD/GOLD	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
总剂量：	10k Rad(Si) V	宽度：	12.192 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...26

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962F0052101QXC	RENESAS	3A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDFP16, CERAMIC, DFP-16	获取价格
5962F0052101QXC	INTERSIL	Radiation Hardened Complementary Switch FET Driver	获取价格
5962F0052101V9A	RENESAS	BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, UUC16, 0.129 X 0.174 INCH, 0.190 INCH HEIGHT, DIE-16	获取价格
5962F0052101VXC	INTERSIL	Radiation Hardened Complementary Switch FET Driver	获取价格
5962F0052301QXC	INTERSIL	Radiation Hardened 2.5V Reference	获取价格
5962F0052301QYC	INTERSIL	Radiation Hardened 2.5V Reference	获取价格