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5962-9755701HYX

更新时间： 2024-01-15 15:30:53
品牌 Logo 应用领域
安华高科 - AVAGO 放大器分离技术隔离技术
页数 文件大小 规格书
16页 251K
描述
Isolation Amplifier, 1 Func, 100MHz Band Width, CDSO8, HERMETIC SEALED, SMT, DIP-8

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5962-9755701HYX 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SOIC
包装说明：SOI,针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5
放大器类型：ISOLATION AMPLIFIER标称带宽 (3dB)：100 MHz
最大共模电压：2.8 VJESD-30 代码：R-CDSO-B8
长度：9.655 mm功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：SOI封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.32 mm子类别：Isolation Amplifier
供电电压上限：5.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES温度等级：MILITARY
端子形式：BUTT端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL最大电压增益：8.4
最小电压增益：7.6宽度：7.366 mm
Base Number Matches：1

5962-9755701HYX 数据手册

 浏览型号5962-9755701HYX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5962-9755701HYX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5962-9755701HYX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962-9755701HYX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962-9755701HYX的Datasheet PDF文件第7页浏览型号5962-9755701HYX的Datasheet PDF文件第8页 
5
DC Electrical Specifications  
Over recommended operating conditions (T = –55˚C to +125˚C, V  
= 0 V, V  
= 0 V, V  
= 5 V and  
A
IN+  
IN–  
DD1  
V
= 5 V, unless otherwise specified).  
DD2  
[12]  
Group A  
Symbol Subgroups Min. Typ.* Max. Units  
Parameter  
Test Conditions  
Fig. Note  
Input Offset  
Voltage  
V
OS  
1,2,3  
–1.0  
0.6  
5.0  
mV 4.5 V ≤ V  
≤ 5.5 V  
, V )  
DD1 DD2  
1,2,  
3
2
Gain  
G
2,3  
7.36  
8.00 8.64  
V/V –200 mV ≤ V  
≤ 200 mV 5,6,  
IN+  
4.5 V ≤ (V  
≤ 5.5 V  
, V  
DD1 DD2  
)
7
1
7.60  
8.00  
0.05  
8.4  
0.8  
200 mV  
NL  
2,3  
%
–200 mV ≤ V  
≤ 200 mV 5,8,  
3
200  
IN+  
Nonlinearity  
4.5 V ≤ (V  
≤ 5.5 V  
, V  
DD1 DD2  
)
9,10,  
12  
1
0.05  
0.01  
0.2  
0.2  
100 mV  
NL  
2,3  
–100 mV ≤ V  
≤ 100 mV 5,8,  
100  
IN+  
Nonlinearity  
4.5 V ≤ (V  
≤ 5.5 V  
, V  
DD1 DD2  
)
9,11,  
12  
1
0.01  
0.1  
Output  
V
1,2,3  
2.20  
2.56 2.80  
V
–400 mV ≤ V  
≤ 400 mV  
OCM  
IN+  
Common-Mode  
Voltage  
4.5 V ≤ (V  
≤ 5.5 V  
, V  
DD1 DD2  
)
Input Supply  
Current  
I
1,2,3  
1,2,3  
1
10.7 15.5  
mA  
mA  
14,17  
15,17  
DD1  
Output Supply  
Current  
I
9.4  
14.5  
1.0  
DD2  
Input-Output  
Insulation  
Leakage  
I
µA RH = 45%, t = 5 sec.  
= 1500 Vdc,  
11  
I–O  
V
I–O  
T = 25˚C  
A
Current  
Maximum  
|V  
MAX  
|
320  
mV  
4,12  
13  
IN+  
Input Voltage  
Before Output  
Clipping  
Average Input  
Bias Current  
I
–0.57  
480  
69  
µA  
kΩ  
dB  
4
5
IN  
Average Input  
Resistance  
R
IN  
Input DC  
CMRR  
IN  
Common-Mode  
Rejection Ratio  
Output  
Resistance  
R
1
Ω
V
O
Output Low  
Voltage  
V
V
1.28  
3.84  
11  
V
V
V
V
= 400 mV  
4
6
OL  
IN+  
IN+  
OUT  
Output High  
Voltage  
V
= –400 mV  
OH  
Output Short-  
Circuit Current  
|I  
|
mA  
Ω
= 0 V or V  
7
OSC  
DD2  
12  
Resistance  
(Input-Output)  
R
10  
= 500 Vdc  
I–O  
11  
I–O  
I–O  
Capacitance  
C
2.7  
pF  
f = 1 MHz  
V = 0 Vdc  
(Input–Output)  
I–O  
*All typicals are at the nominal operating conditions of V  
= 0 V, V  
= 0 V, T = 25˚C, V  
= 5 V and V  
= 5 V.  
IN+  
IN–  
A
DD1  
DD2  
12345678...16

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