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5962-9474901MEA

更新时间: 2024-01-11 02:08:02
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 44K
描述
TRANSISTOR | BJT | ARRAY | INDEPENDENT | 8V V(BR)CEO | 11.3MA I(C) | DIP

5962-9474901MEA 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-GDIP-T16
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.65其他特性:HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC):0.0113 A集电极-发射极最大电压:8 V
配置:SEPARATE, 5 ELEMENTS最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码:R-GDIP-T16元件数量:5
端子数量:16封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUAL晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

5962-9474901MEA 数据手册

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Device type  
Case outline  
01  
E
Terminal  
number  
1
Terminal symbol  
Q1 collector  
Q2 collector  
Q2 emitter  
Q2 base  
2
3
4
5
NC  
6
Q3 collector  
Q3 emitter  
Q3 base  
7
8
9
Q4 base  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
Q4 emitter  
Q4 collector  
Q5 collector  
Q5 emitter  
Q5 base  
Q1 base  
Q1 emitter  
NOTE: Transistors are all NPNs.  
FIGURE 1. Terminal connections.  
SIZE  
STANDARD  
5962-94749  
A
MICROCIRCUIT DRAWING  
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS  
COLUMBUS, OHIO 43216-5000  
REVISION LEVEL  
SHEET  
B
6
DSCC FORM 2234  
APR 97  

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