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5962-9474901MEA

更新时间： 2024-01-27 03:02:45

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其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	44K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| ARRAY \| INDEPENDENT \| 8V V(BR)CEO \| 11.3MA I(C) \| DIP

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5962-9474901MEA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-GDIP-T16
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大集电极电流 (IC)：	0.0113 A	集电极-发射极最大电压：	8 V
配置：	SEPARATE, 5 ELEMENTS	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-GDIP-T16	元件数量：	5
端子数量：	16	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

5962-9474901MEA 数据手册

REVISIONS

LTR

DESCRIPTION

DATE (YR-MO-DA)

96-07-10

APPROVED

M. A. FRYE

Changes in accordance with N.O.R. 5962-R181-96.

Drawing updated to reflect current requirements. - ro

01-12-03

R. MONNIN

REV

SHEET

REV

SHEET

REV STATUS

OF SHEETS

PMIC N/A

REV

SHEET

PREPARED BY

SANDRA ROONEY

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43216

CHECKED BY

SANDRA ROONEY

STANDARD

MICROCIRCUIT

DRAWING

http://www.dscc.dla.mil

APPROVED BY

MICHAEL A. FRYE

THIS DRAWING IS AVAILABLE

FOR USE BY ALL

MICROCIRCUIT, LINEAR, ULTRA HIGH

FREQUENCY ALL NPN TRANSISTOR ARRAY,

DEPARTMENTS

AND AGENCIES OF THE

DEPARTMENT OF DEFENSE

MONOLITHIC SILICON

DRAWING APPROVAL DATE

94-10-25

AMSC N/A

REVISION LEVEL

SIZE

CAGE CODE

5962-94749

67268

SHEET

DSCC FORM 2233

APR 97

5962-E067-02

DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.

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