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5962-9458501H9C

更新时间： 2024-02-19 08:48:47

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EEPROM

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5962-9458501H9C 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	CERAMIC, QFP-68	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.24
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	300 ns
其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 512K X 8	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	S-CQFP-G68	长度：	23.875 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EEPROM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	128KX32	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QFP	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	23.875 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

5962-9458501H9C 数据手册

TABLE I. Electrical performance characteristics.

Test

Symbol

Conditions 1/ 2/

-55°C ≤ T_C≤ +125°C

Group A

subgroups

Device

types

Limits

Unit

Min

Max

+4.5 V dc ≤ V_CC≤ +5.5 V dc

unless otherwise specified

DC parameters

Supply current

I_CC

CS = V_IL, OE = WE = V_IH,

I/O 0 through I/O 31 = open.

Inputs = V_CC= +5.5 V dc,

A0 through A16 change at

f = 5 MHz CMOS levels.

1,2,3

All

250

Standby current

I_SB

CS = V_CC, OE = V_IH, I/O 0

through I/O 31 = open.

Inputs = V_CC= +5.5 V dc,

A0 through A16 change at

f = 5 MHz CMOS levels.

Input leakage current

I_LI

V_IN= V_SSto V_CC

1,2,3

All

-10

+10

µA

I_{IL (RES)}

7,8,9

-500

+500

Input leakage (RES pin)

Output leakage current

Input low voltage

I_LO

V_IL

1,2,3

All

-10

+10

0.8

µA

CS = V_IH, V_OUT= V_SSto V_CC

Input high voltage

V_IH

V_H

1,2,3

1-6

7-9

2.0

2.2

Input high voltage

RES signal

V_CC-.5 V

V_CC+1V

0.45

Output low voltage

Output high voltage

Capacitance

V_OL

V_OH

V_CC= +4.5 V dc,

_OL= 2.1 mA

1,2,3

All

V_CC= +4.5 V dc,

_OL= -400 µA

2.4

A0 - A16 3/

C_AD

C_OE

_IN= 0 V dc, f = 1.0 MHz,

All

T_A= +25°C

OE capacitance 3/

C_CS

V_IN= 0 V dc, f = 1.0 MHz,

T_A= +25°C

All

CS1-4 capacitance 3/

C_WE1-4

V_IN= 0 V dc, f = 1.0 MHz,

T_A= +25°C

WE1-4 capacitance 3/

See footnotes at end of table.

SIZE

STANDARD

MICROCIRCUIT DRAWING

5962-94585

REVISION LEVEL

SHEET

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43216-5000

DSCC FORM 2234

APR 97

1...3 4 567 8 9...42

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