生命周期: | Transferred | 包装说明: | 1.075 INCH, HIP-66 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.59 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 300 ns |
其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 512K X 8 | 备用内存宽度: | 16 |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | S-XHIP-P66 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 27.305 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX32 | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | HIP | 封装等效代码: | PGA66,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | IN-LINE |
页面大小: | 128 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 4.6 mm | 最大待机电流: | 0.005 A |
子类别: | EEPROMs | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | GOLD | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | HEX |
切换位: | NO | 宽度: | 27.305 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | 写保护: | SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-9458501H6C | ETC |
获取价格 |
x32 EEPROM Module | |
5962-9458501H9A | ETC |
获取价格 |
EEPROM | |
5962-9458501H9C | ETC |
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EEPROM | |
5962-9458501H9X | WEDC |
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EEPROM Module, 128KX32, 300ns, Parallel, CMOS, CQFP68, 23.90 MM, CERAMIC, LQFP-68 | |
5962-9458501HMA | ETC |
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x32 EEPROM Module | |
5962-9458501HMC | ETC |
获取价格 |
x32 EEPROM Module | |
5962-9458501HMX | MICROSEMI |
获取价格 |
EEPROM Module, | |
5962-9458501HNC | ETC |
获取价格 |
x32 EEPROM Module | |
5962-9458501HNX | MICROSEMI |
获取价格 |
EEPROM Module, 128KX32, 300ns, Parallel, CMOS, CQMA68, CERAMIC, QFP-68 | |
5962-9458501HTA | ETC |
获取价格 |
x32 EEPROM Module |