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5962-9317704VZX

更新时间： 2024-02-02 21:08:35

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		先进先出芯片
页数	文件大小	规格书
32页	194K
描述
FIFO, 16KX9, 15ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28,

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技术参数
数据手册

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5962-9317704VZX 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.12
最长访问时间：	15 ns	周期时间：	25 ns
JESD-30 代码：	R-CDFP-F28	长度：	18.288 mm
内存密度：	147456 bit	内存宽度：	9
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	16KX9
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：	3.3 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	FLAT
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

5962-9317704VZX 数据手册

TABLE I. Electrical performance characteristics – continued.

Test conditions 1/

-55°C ≤ T_C≤ +125°C

+4.5 V ≤V_CC≤ +5.5 V

unless otherwise specified

Test

Symbol

Group A

subgroups type

Device

Limits

Unit

Min

Max

Read recovery time

Read pulse width 3/

t_RR

See figure 4.

9,10,11

02-06

t_RPW

02,05

04,06

Read low to data bus low Z

t_RLZ

9,10,11

02,03,05

04,06

Write high to data bus low Z t_WLZ

4/ 5/

02,03,05

04,06

Data valid from read high

t_DV

9,10,11

All

Read high to data bus

high Z 4/

t_RHZ

02,05

03,04,06

Write cycle time

t_WC

9,10,11

02,05

04,06

Write pulse width 3/

t_WPW

02,05

04,06

Write recovery time

t_WR

02-06

See footnotes at end of table.

SIZE

STANDARD

5962-93177

MICROCIRCUIT DRAWING

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43216-5000

REVISION LEVEL

SHEET

DSCC FORM 2234

APR 97

1...5 6 789 10 11...32

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5962-9317705VZA	TEMIC	FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, 0.400 INCH, FP-28	获取价格