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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DIP, DIP28,.3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.71 |
| 风险等级： | 5.02 | 最长访问时间： | 30 ns |
| 其他特性： | RETRANSMIT | 最大时钟频率 (fCLK)： | 25 MHz |
| 周期时间： | 40 ns | JESD-30 代码： | R-XDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 27.94 mm |
| 内存密度： | 147456 bit | 内存集成电路类型： | OTHER FIFO |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16KX9 | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP28,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Qualified |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class Q | 座面最大高度： | 5.84 mm |
| 子类别： | FIFOs | 最大压摆率： | 0.15 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | GOLD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9317702QTX | MICROCHIP | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
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| 5962-9317702QZA | TEMIC | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDFP28, 0.400 INCH, FP-28 |
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| 5962-9317702VNX | MICROCHIP | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, 0.400 INCH, FP-28 |
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| 5962-9317702VTC | ATMEL | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, DIP-28 |
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| 5962-9317702VTX | MICROCHIP | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28 |
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| 5962-9317702VZX | WEDC | FIFO, 16KX9, 30ns, Asynchronous, CMOS, 0.400 INCH, FP-28 |
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