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5962-9315301MXX

更新时间： 2024-01-19 04:53:01

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5962-9315301MXX 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCN,	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.67
最长访问时间：	35 ns	JESD-609代码：	e0
长度：	14.224 mm	内存密度：	36864 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	9
功能数量：	1	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	4KX9	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	3.048 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	BICMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	14.224 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
5962-9315302MXA	IDT	Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, BICMOS, CQCC68, LCC-68	获取价格
5962-9315302MXX	ETC	x9 Dual-Port SRAM	获取价格
5962-9315303MXA	IDT	Multi-Port SRAM, 4KX9, 20ns, BICMOS, CQCC68, LCC-68	获取价格
5962-9315303MXX	IDT	Multi-Port SRAM, 4KX9, 20ns, BICMOS, LCC-68	获取价格
5962-9315401HXX	MICROSEMI	EEPROM Module, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP32, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, CERAMI	获取价格
5962-9315402HXC	WEDC	EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP32,	获取价格