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5962-9232401MYX

更新时间: 2024-01-16 15:14:41
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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22页 836K
描述
NVRAM (EEPROM Based)

5962-9232401MYX 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:QCCN,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:R-CQCC-N28内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:8192 words字数代码:8000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:8KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL筛选级别:MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

5962-9232401MYX 数据手册

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