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5962-9232404MXA

更新时间： 2024-11-02 21:11:31
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 57K
描述
Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28

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5962-9232404MXA 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：DIP, DIP28,.3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.8最长访问时间：55 ns
其他特性：SOFTWARE STORE/RECALLJESD-30 代码：R-CDIP-T28
JESD-609代码：e0长度：35.56 mm
内存密度：65536 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883
座面最大高度：4.14 mm最大待机电流：0.002 A
子类别：SRAMs最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.62 mm
Base Number Matches：1

5962-9232404MXA 数据手册

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STK11C68-M  
CMOS nvSRAM  
High Performance  
8K x 8 Nonvolatile Static RAM  
MIL-STD-883/SMD # 5962-92324  
DESCRIPTION  
FEATURES  
The Simtek STK11C68-M is a fast static RAM (35, 45  
and55ns),withanonvolatileelectrically-erasablePROM  
• 35, 45 and 55ns Access Times  
• 17, 20 and 25ns Output Enable Access  
• Unlimited Read and Write to SRAM  
• Software STORE Initiation  
(EEPROM)elementincorporatedineachstaticmemory  
cell. The SRAM can be read and written an unlimited  
number of times, while independent nonvolatile data  
resides in EEPROM. Data transfers from the SRAM to  
the EEPROM (STORE), or from the EEPROM to the  
SRAM (RECALL) are initiated through software se-  
quences. It combines the high performance and ease  
of use of a fast SRAM with nonvolatile data integrity.  
• Automatic STORE Timing  
• 100,000 STORE cycles to EEPROM  
• 10 year data retention in EEPROM  
• Automatic RECALL on Power Up  
• Software RECALL Initiation  
The STK11C68-M is pin compatible with industry stan-  
dard SRAMs and is available in a 28-pin 300 mil  
ceramicDIPor28-padLCCpackage. Commercialand  
industrial devices are also available.  
• Unlimited RECALL cycles from EEPROM  
• Single 5V ± 10% Operation  
• Available in multiple standard packages  
LOGIC BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATIONS  
1
28  
NC  
V
CC  
2
3
27  
26  
W
A
A
EEPROM ARRAY  
256 x 256  
12  
3
2
28 27  
26  
1
NC  
4
5
7
6
5
4
A
A
NC  
6
5
4
25  
24  
4
5
A
A
A
A
A
8
25  
24  
23  
22  
21  
A
8
A3  
A
A
6
9
A
A
A
A
A
9
STORE  
23  
22  
6
7
11  
7
A4  
A
3
2
1
0
11  
G
8
G
A
E
3
TOP VIEW  
A5  
RECALL  
STATIC RAM  
8
9
21  
20  
A
A
A
E
9
10  
10  
2
1
0
0
10  
20  
19  
18  
A6  
A
DQ  
DQ  
ARRAY  
10  
11  
19  
18  
A
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
DQ  
7
6
11  
12  
DQ  
DQ  
0
1
7
6
A7  
DQ  
A 0  
A12  
256 x 256  
13 14 15 16 17  
17  
16  
15  
12  
13  
14  
DQ  
DQ  
V
A8  
A9  
5
4
1
2
STORE/  
3
SS  
RECALL  
CONTROL  
A
12  
28 - LCC  
28 - 300 C-DIP  
DQ0  
COLUMN I/O  
PIN NAMES  
DQ1  
A
- A  
Address Inputs  
DQ2  
0
12  
COLUMN DECODER  
W
Write Enable  
Data In/Out  
Chip Enable  
Output Enable  
Power (+5V)  
Ground  
DQ3  
DQ - DQ  
0
7
DQ4  
DQ5  
E
G
V
A0  
A1  
A2  
A
A11  
10  
G
DQ6  
DQ7  
CC  
SS  
V
E
W
4-31  
1234567...10

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与5962-9232404MXA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5962-9232404MXC CYPRESS

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 		Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
5962-9232404MXX ETC

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 		NVRAM (EEPROM Based)
5962-9232404MYA CYPRESS

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 		Non-Volatile SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28
5962-9232404MYX ETC

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5962-9232405MXA CYPRESS

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