5秒后页面跳转
5962-9161207MMX PDF预览

5962-9161207MMX

更新时间: 2024-02-17 13:14:50
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
27页 1018K
描述
x4 SRAM

5962-9161207MMX 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
最长访问时间:20 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDSO-N28内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
端子数量:28字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:SON
封装等效代码:SOLCC28,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.00075 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

5962-9161207MMX 数据手册

 浏览型号5962-9161207MMX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5962-9161207MMX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号5962-9161207MMX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号5962-9161207MMX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号5962-9161207MMX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号5962-9161207MMX的Datasheet PDF文件第7页 

与5962-9161207MMX相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
5962-9161207MTX ETC x4 SRAM

获取价格

5962-9161207MUA MICROSS Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32

获取价格

5962-9161207MUX MICROSS Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, CDFP32, CERAMIC, FP-32

获取价格

5962-9161207MXX MICROSS Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, DIP-28

获取价格

5962-9161207MXX WEDC Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, CDIP28,

获取价格

5962-9161207MYX WEDC Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, CDSO28,

获取价格