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5962-9150811MYA

更新时间: 2024-02-11 11:31:17
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
32页 1287K
描述
x8 Dual-Port SRAM

5962-9150811MYA 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:DFP, QFL68,.95SQ针数:68
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.66
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-XQFP-F68
JESD-609代码:e0长度:24.08 mm
内存密度:131072 bit内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:68
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:16KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DFP封装等效代码:QFL68,.95SQ
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:3.68 mm
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.37 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:24 mm
Base Number Matches:1

5962-9150811MYA 数据手册

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