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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | FPACK |
| 包装说明： | DFP, QFL68,.95SQ | 针数： | 68 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.31 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 20 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-XQFP-F68 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 24.08 mm |
| 内存密度： | 131072 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 68 | 字数： | 16384 words |
| 字数代码： | 16000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 16KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DFP |
| 封装等效代码： | QFL68,.95SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 3.68 mm | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.32 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9151301M2X | ETC | 2/2-input and 3/3-input AND-NOR Gate |
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| 5962-9151301MCX | ETC | 2/2-input and 3/3-input AND-NOR Gate |
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| 5962-9151601QEA | ETC | 3-To-8-Line Demultiplexer |
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| 5962-9151601QEB | ETC | 3-To-8-Line Demultiplexer |
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| 5962-9151601QEC | ETC | 3-To-8-Line Demultiplexer |
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| 5962-9151801MXA | CYPRESS | Standard SRAM, 1KX4, 7ns, ECL, CDIP24, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-24 |
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