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5962-9089912QYA

更新时间： 2024-01-09 19:58:12
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 闪存内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
27页 208K
描述
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAA, CMOS, 128K X 8 BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON

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5962-9089912QYA 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：QFJ
包装说明：QCCN,针数：32
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.8
Is Samacsys：N最长访问时间：150 ns
JESD-30 代码：R-CQCC-N32JESD-609代码：e0
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QCCN封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER并行/串行：PARALLEL
编程电压：12 V认证状态：Qualified
筛选级别：MIL-PRF-38535 Class Q最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：TIN LEAD
端子形式：NO LEAD端子位置：QUAD
Base Number Matches：1

5962-9089912QYA 数据手册

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TABLE I. Electrical performance characteristics - Continued.  
Test  
Symbol  
Conditions  
+125 C 1/  
5.5 V  
unless otherwise specified  
Group A  
Subgroups  
Device  
type  
Limits  
Units  
-55 C  
4.5 V  
T
C
V
CC  
Min  
Max  
AC CHARACTERISTICS - READ ONLY OPERATIONS - Continued. (See figure 5 as applicable.)  
Output enable  
access time  
t
9, 10, 11  
01,05  
02,06  
03,07,10,  
11,12  
04,08,13  
09  
65  
60  
ns  
GLQV  
55  
50  
40  
Chip enable to  
output in low Z  
t
t
t
t
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
All  
0 2/  
ns  
ns  
ns  
ns  
ELQX  
EHQZ  
GLQX  
GHQZ  
Chip disable to  
output in high Z  
2/  
2/  
All  
All  
55  
Output enable to  
output in low Z  
0 2/  
Output disable to  
output in high Z  
01,05  
02,06  
60  
45  
03,07,10,  
11,12  
04,08,09,  
13  
35  
30  
Output hold from  
address, CE, or  
OE change  
t
t
3/  
9, 10, 11  
9, 10, 11  
All  
0 2/  
6.0  
ns  
µs  
AXQX  
Write recovery  
time before read  
All  
WHGL  
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE  
Chip erase  
Excludes 00H programming  
9, 10, 11  
All  
All  
60  
24  
s
s
Chip program  
Excludes system overhead 4/ 9, 10, 11  
1/ Case temperatures are instant on.  
2/ Parameters shall be tested as part of device initial characterization and after design and process change. Parameter  
shall be guaranteed to the limits specified in table I for all lots not specifically tested.  
3/ Whichever occurs first.  
4/ Minimum byte programming time excluding system overhead is 16 µs (10 µs programming +6.0 µs write recovery), while  
maximum is 400 µs/byte (16 µs x 25 loops allowed by algorithm). Maximum chip programming time is specified lower  
than the worst case allowed by the programming algorithm since most bytes program significantly faster than the worst  
case byte.  
SIZE  
STANDARD  
5962-90899  
A
MICROCIRCUIT DRAWING  
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS  
REVISION LEVEL  
C
SHEET  
COLUMBUS, OHIO 43216-5000  
9
DSCC FORM 2234  
APR 97  
1...6789101112...27

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