生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | WDIP, DIP24,.3 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.61 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 30 ns | 其他特性: | POWER SWITCHED PROM |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 31.877 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | UVPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | WDIP |
封装等效代码: | DIP24,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE, WINDOW | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.04 A | 子类别: | EPROMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-88680043X | ETC | x8 EPROM |
获取价格 |
|
5962-8868004KX | ETC | x8 EPROM |
获取价格 |
|
5962-8868004LA | CYPRESS | UVPROM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.300 INCH, WINDOWED, CERDIP-24 |
获取价格 |
|
5962-8868004LX | ETC | x8 EPROM |
获取价格 |
|
5962-8868101LA | TEMIC | Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, |
获取价格 |
|
5962-8868101LA | CYPRESS | Standard SRAM, 64KX4, 35ns, CMOS, CDIP24, CERAMIC, DIP-24 |
获取价格 |