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5962-8852504YC

更新时间： 2023-01-03 00:36:47

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XICOR		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
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EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CERAMIC, LCC-32

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5962-8852504YC 数据手册

TABLE I. Electrical performance characteristics - Continued.

│

Test

│Symbol

│

Conditions

-55°C ≤ T_C≤+125°C

V_SS= 0 V,

│Group A

│subgroups │ types

│

│ Device

Limits

│ Unit

│

4.5 V ≤ V_CC≤ 5.5 V

│ Min

│ Max

│

│unless otherwise specified 1/

│

Last byte loaded to

data polling

│t_WHEL

│See figure 5 or 6

│ 9,10,11

│ All

│ 650 │ µs

│t_EHEL5/ │ as applicable

│

CE setup time

│t_ELWL5/ │See figure 8

│ 9,10,11

│

│ 9,10,11

│

│ All

│

│ All

│

│ 5

│

│ 5

│

│ µs

│

│ µs

│

Output set-up time

│t_OVHWL

│

CE hold time

│t_WHEH5/ │

│ 9,10,11

│

│ All

│

│ 5

│

│ µs

│

OE hold time

High voltage

Chip erase

│t_WHOH

│

│V_H5/

│

│ 9,10,11

│

│ 9,10,11

│

│ 9,10,11

│

│ All

│

│ All

│

│ All

│

│ 5

│

│ µs

│

│ V

│

│ 12

│

│ 13

│

│210 │ ms

│

│t_WLWH2

│

WE pulse width for │t_WLWH15/ │

chip erase

│ 9,10,11

│

│ All

│

│ 10

│

│ ms

│

1/ DC and read mode.

2/ Connect all address inputs and OE to V_IHand measure I_OLZand I_OHZwith the output under test connected to V_OUT

3/ All pins not being tested are to be open.

4/ Tested initially and after any design or process changes that affect that parameter, and therefore shall be guaranteed to the

limits specified in table I.

5/ Tested by application of specified timing signals and conditions, including:

Equivalent ac test conditions:

Devices: All.

Output load: 1 TTL gate and C_L= 100 pF (minimum) or equivalent circuit.

Input rise and fall times ≤ 10 ns.

Input pulse levels: 0.4 V and 2.4 V.

Timing measurements reference levels:

Inputs: 1 V and 2 V.

Outputs: 0.8 V and 2 V.

6/ During a page write operation the cycle time defined by t_WLWHand t_WHWL2shall not be less than 1 µs.

SIZE

STANDARD

5962-88525

MICROCIRCUIT DRAWING

DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS

COLUMBUS, OHIO 43218-3990

REVISION LEVEL

SHEET

DSCC FORM 2234

APR 97

1...5 6 789 10 11...28

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