是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | PGA, | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.68 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 200 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS |
数据保留时间-最小值: | 10 | JESD-30 代码: | R-CPGA-P30 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 16.5 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 30 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 128KX8 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-STD-883 |
座面最大高度: | 4.4 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-3826703MUA | XICOR |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
5962-3826703MUM | MAXWELL |
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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON | |
5962-3826703MUQ | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON | |
5962-3826703MUV | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON | |
5962-3826703MUX | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32 | |
5962-3826703MUX | ATMEL |
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1-Megabit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMs | |
5962-3826703MWC | XICOR |
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EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CPGA36, CERAMIC, PGA-36 | |
5962-3826703MWM | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON | |
5962-3826703MWQ | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON | |
5962-3826703MWV | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |