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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCN, | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.34 |
| 最长访问时间： | 200 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS |
| 数据保留时间-最小值： | 10 | JESD-30 代码： | S-CQCC-N44 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 16.55 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 2.74 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 16.55 mm | 最长写入周期时间 (tWC)： | 10 ms |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-3826703MZA | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| 5962-3826703MZC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| 5962-3826703MZM | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
|
| 5962-3826703MZQ | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
|
| 5962-3826703MZV | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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| 5962-3826703MZX | ATMEL |
获取价格 |
1-Megabit (128K x 8) Paged Parallel EEPROMs |
|
| 5962-3826703MZX | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDFP32 |
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| 5962-3826703Q6M | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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| 5962-3826703Q6Q | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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| 5962-3826703Q6V | MAXWELL |
获取价格 |
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K x 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON |
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