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5962-01-389-0203

更新时间： 2024-01-31 05:40:38
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
10页 102K
描述
Multiplexers/Switches, 1 Func, CMOS, CDIP8

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5962-01-389-0203 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：DIP, DIP8,.3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.79JESD-30 代码：R-XDIP-T8
功能数量：1端子数量：8
最大通态电阻 (Ron)：100 Ω最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：CERAMIC
封装代码：DIP封装等效代码：DIP8,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
电源：5,12/+-15 V认证状态：Not Qualified
子类别：Multiplexer or Switches表面贴装：NO
最长接通时间：175 ns切换：BREAK-BEFORE-MAKE
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

5962-01-389-0203 数据手册

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DG417/418/419  
Vishay Siliconix  
a
SPECIFICATIONS  
Test Conditions  
Unless Otherwise Specified  
A Suffix  
–55 to 125_C  
D Suffix  
–40 to 85_C  
V+ = 15 V, V– = –15 V  
f
Parameter  
Symbol  
Tempb Typc Mind Maxd Mind Maxd Unit  
V
L
= 5 V, V = 2.4 V, 0.8 V  
IN  
Analog Switch  
e
Analog Signal Range  
V
Full  
–15  
15  
–15  
15  
V
ANALOG  
Drain-Source  
On-Resistance  
I
S
= –10 mA, V = "12.5 V  
V+ = 13.5 V, V– = –13.5 V  
Room  
Full  
20  
35  
45  
35  
45  
D
r
W
DS(on)  
Room  
Full  
–0.1  
–0.1  
–0.1  
–0.4  
–0.4  
–0.25  
–20  
0.25  
20  
–0.25  
–5  
0.25  
5
I
S(off)  
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V  
DG417  
DG418  
Room  
Full  
–0.25  
–20  
0.25  
20  
–0.25  
–5  
0.25  
5
Switch Off  
Leakage Current  
V
V
= #15.5 V  
= "15.5 V  
D
S
I
D(off)  
Room  
Full  
–0.75  
–60  
0.75  
60  
–0.75  
–12  
0.75  
12  
DG419  
nA  
DG417  
DG418  
Room  
Full  
–0.4  
–40  
0.4  
40  
–0.4  
–10  
0.4  
10  
Channel On  
Leakage Current  
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V  
= V = "15.5 V  
I
D(on)  
V
S
D
Room  
Full  
–0.75  
–60  
0.75  
60  
–0.75  
–12  
0.75  
12  
DG419  
Digital Control  
Input Current  
I
Full  
Full  
0.005  
0.005  
–0.5  
–0.5  
0.5  
0.5  
–0.5  
–0.5  
0.5  
0.5  
IL  
V
IN  
Low  
mA  
Input Current  
High  
I
IH  
V
IN  
Dynamic Characteristics  
DG417  
DG418  
Room  
Full  
100  
60  
175  
250  
175  
250  
R
L
= 300 W, C = 35 pF  
L
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
t
ON  
V
S
= "10 V  
See Switching Time  
Test Circuit  
DG417  
DG418  
Room  
Full  
145  
210  
145  
210  
t
OFF  
ns  
R
R
= 300 W, C = 35 pF  
L
L
Room  
Full  
175  
250  
175  
250  
Transition Time  
t
DG419  
DG419  
V
V
= "10 V  
= #10 V  
TRANS  
S1  
S2  
Break-Before-Make  
Time Delay  
= 300 W, C = 35 pF  
L
L
t
D
Room  
Room  
Room  
13  
60  
8
5
5
V
S1  
= V = "10 V  
S2  
Charge Injection  
Q
C
= 10 nF, V  
= 0 V, R = 0 W  
gen  
pC  
pF  
L
gen  
Source Off  
Capacitance  
C
S(off)  
f = 1 MHz, V = 0 V  
S
DG417  
DG418  
Drain Off Capacitance  
C
C
Room  
8
D(off)  
DG417  
DG418  
Room  
Room  
30  
35  
D(on)  
Channel On  
Capacitance  
f = 1 MHz, V = 0 V  
S
DG419  
Power Supplies  
Positive Supply  
Current  
Room  
Full  
0.001  
–0.001  
0.001  
1
5
1
5
I+  
I–  
Negative Supply  
Current  
Room  
Full  
–1  
–5  
–1  
–5  
V+ = 16.5 V, V– = –16.5 V  
= 0 or 5 V  
mA  
Room  
Full  
1
5
1
5
V
IN  
Logic Supply Current  
Ground Current  
I
L
–0.000  
1
Room  
Full  
–1  
–5  
–1  
–5  
I
GND  
Document Number: 70051  
S-52433—Rev. E, 06-Sep-99  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
4-3  
1234567...10

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