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54F189DC

更新时间： 2024-01-28 20:12:00

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罗彻斯特 - ROCHESTER		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	676K
描述
16X4 STANDARD SRAM, 27ns, CDIP16, CERAMIC, DIP-16

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54F189DC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	CERAMIC, DIP-16	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.78
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	27 ns
JESD-30 代码：	R-GDIP-T16	长度：	19.43 mm
内存密度：	64 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端子数量：	16	字数：	16 words
字数代码：	16	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16X4	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	COMMERCIAL	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	BIPOLAR	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

54F189DC 数据手册

MICROCIRCUIT DATA SHEET

Original Creation Date: 07/15/98

Last Update Date: 08/24/98

CN54F189-X REV 0A0

Last Major Revision Date: 07/15/98

64-BIT RANDOM ACCESS MEMORY WITH 3-STATE OUTPUTS

General Description

The F189 is a high-speed 64-bit RAM organized as a 16-word by 4-bit array. Address inputs

are buffered to minimize loading and are fully decoded on-chip. The outputs are 3-state

and are in the high impedance state whenever the Chip Select (CS) input is HIGH. The

outputs are active only in the Read mode and the output data is the complement of the

stored data.

Industry Part Number

NS Part Numbers

54F189

54F189DC

Prime Die

M189

Processing

Subgrp Description

Temp (^oC)

(blank)

Static tests at

+25

+70

+25

+70

+25

+70

+25

+70

Static tests at

Dynamic tests at

Functional tests at

Switching tests at

Quality Conformance Inspection

(blank)

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与54F189DC相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
54F189DL	NSC	64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs	获取价格
54F189DLQB	ETC	x4 SRAM	获取价格
54F189DM	FAIRCHILD	Standard SRAM, 16X4, 23ns, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16	获取价格
54F189DMQB	FAIRCHILD	Standard SRAM, 16X4, 23ns, CMOS, CDIP16, CERAMIC, DIP-16	获取价格
54F189FL	NSC	64-Bit Random Access Memory with TRI-STATEE Outputs	获取价格
54F189FLQB	ETC	x4 SRAM	获取价格