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54ACT2726DM

更新时间: 2024-01-13 17:05:37
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德州仪器 - TI 先进先出芯片内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 30K
描述
512X9 BI-DIRECTIONAL FIFO, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

54ACT2726DM 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP28,.6针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.84
Is Samacsys:NJESD-30 代码:R-GDIP-T28
内存密度:4608 bit内存集成电路类型:BI-DIRECTIONAL FIFO
内存宽度:9功能数量:1
端子数量:28字数:512 words
字数代码:512工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512X9输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.715 mm
子类别:FIFOs标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

54ACT2726DM 数据手册

  

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