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54ABT16373

更新时间： 2024-02-23 19:50:36
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 锁存器
页数 文件大小 规格书
6页 120K
描述
16-Bit Transparent Latch with TRI-STATE Outputs

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54ABT16373 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DFP, FL48,.4,25Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.2.CHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.58系列：ABT
JESD-30 代码：R-GDFP-F48JESD-609代码：e0
长度：15.748 mm逻辑集成电路类型：BUS DRIVER
位数：8功能数量：2
端口数量：2端子数量：48
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DFP
封装等效代码：FL48,.4,25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5 V最大电源电流（ICC）：85 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup：6.5 ns传播延迟（tpd）：7 ns
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-PRF-38535
座面最大高度：2.54 mm子类别：FF/Latches
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：BICMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：FLAT
端子节距：0.64 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：9.65 mm
Base Number Matches：1

54ABT16373 数据手册

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Absolute Maximum Ratings (Note 1)  
(Across Comm Operating Range) Other Pins  
Over Voltage Latchup (I/O)  
−500 mA  
10V  
Storage Temperature  
Ambient Temperature under Bias  
Junction Temperature under Bias  
Ceramic  
−65˚C to +150˚C  
−55˚C to +125˚C  
−55˚C to +175˚C  
Recommended Operating  
Conditions  
VCC Pin Potential to  
Free Air Ambient Temperature  
Ground Pin  
−0.5V to +7.0V  
−0.5V to +7.0V  
Military  
−55˚C to +125˚C  
Input Voltage (Note 2)  
Input Current (Note 2)  
Voltage Applied to Any Output  
in the Disabled or  
Supply Voltage  
Military  
−30 mA to +5.0 mA  
+4.5V to +5.5V  
(∆V/∆t)  
Minimum Input Edge Rate  
Data Input  
50 mV/ns  
Power-Off State  
−0.5V to +5.5V  
−0.5V to VCC  
Enable Input  
20 mV/ns  
in the HIGH State  
Note 1: Absolute maximum ratings are values beyond which the device may  
be damaged or have its useful life impaired. Functional operation under these  
conditions is not implied.  
Current Applied to Output  
in LOW State (Max)  
twice the rated IOL (mA)  
−350 mA  
Note 2: Either voltage limit or current limit is sufficient to protect inputs.  
DC Latchup Source Current: OE Pin  
DC Electrical Characteristics  
Symbol  
Parameter  
ABT16373  
Units  
VCC  
Conditions  
Min Typ Max  
VIH  
Input HIGH Voltage  
2.0  
V
V
V
Recognized HIGH Signal  
Recognized LOW Signal  
VIL  
Input LOW Voltage  
0.8  
=
IIN −18 mA  
VCD  
VOH  
Input Clamp Diode Voltage  
Output HIGH Voltage  
−1.2  
Min  
=
IOH −3 mA  
54ABT 2.5  
=
IOH −24 mA  
54ABT 2.0  
54ABT  
=
IOL 48 mA  
VOL  
IIH  
Output LOW Voltage  
Input HIGH Current  
0.55  
5
V
Min  
=
VIN 2.7V (Note 4)  
µA  
Max  
=
VIN VCC  
5
=
VIN 7.0V  
IBVI  
IIL  
Input HIGH Current Breakdown Test  
Input LOW Current  
7
µA  
µA  
Max  
Max  
=
VIN 0.5V (Note 4)  
−5  
−5  
=
VIN 0.0V  
=
VID  
Input Leakage Test  
4.75  
V
0.0  
IID 1.9 µA  
All Other Pins Grounded  
= =  
0 − 5.5V VOUT 2.7V; OE 2.0V  
IOZH  
IOZL  
IOS  
Output Leakage Current  
Output Leakage Current  
Output Short-Circuit Current  
Output High Leakage Current  
Bus Drainage Test  
50  
−50  
−275  
50  
µA  
µA  
=
=
0 − 5.5V VOUT 0.5V; OE 2.0V  
=
VOUT 0.0V  
−100  
mA  
µA  
Max  
Max  
0.0  
=
VOUT VCC  
ICEX  
IZZ  
=
100  
2.0  
µA  
VOUT 5.5V; All Others GND  
ICCH  
ICCL  
ICCZ  
Power Supply Current  
Power Supply Current  
Power Supply Current  
mA  
mA  
mA  
Max  
Max  
Max  
All Outputs HIGH  
All Outputs LOW  
85  
=
2.0  
OE VCC  
All Others at VCC or GND  
=
VI VCC − 2.1V  
ICCT  
Additional ICC/Input  
Outputs Enabled  
Outputs TRI-STATE  
2.5  
2.5  
2.5  
mA  
mA  
mA  
=
Enable Input VI VCC − 2.1V  
Max  
Max  
=
Outputs TRI-STATE  
Data Input VI VCC − 2.1V  
All Others at VCC or GND  
=
Outputs Open, LE VCC  
ICCD  
Dynamic ICC  
(Note 4)  
No Load  
mA/  
=
0.15 MHz  
OE GND, (Note 3)  
One Bit Toggling, 50% Duty  
Cycle  
<
Note 3: For 8 bits toggling, I  
0.8 mA/MHz.  
CCD  
Note 4: Guaranteed, but not tested.  
3
www.national.com  
123456

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