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Datasheet > 逻辑 > 总线驱动器/收发器> 54ABT16245W-QML
54ABT16245W-QML PDF预览

54ABT16245W-QML

更新时间： 2024-02-16 14:11:17
品牌 Logo 应用领域
美国国家半导体 - NSC 总线驱动器总线收发器逻辑集成电路信息通信管理
页数 文件大小 规格书
9页 244K
描述
16-Bit Transceiver with TRI-STATE Outputs

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54ABT16245W-QML 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DFP,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.41
系列：ABTJESD-30 代码：R-GDFP-F48
长度：15.748 mm逻辑集成电路类型：BUS TRANSCEIVER
位数：8功能数量：2
端口数量：2端子数量：48
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码：DFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
传播延迟（tpd）：5.2 ns认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.54 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES温度等级：MILITARY
端子形式：FLAT端子节距：0.635 mm
端子位置：DUAL宽度：9.65 mm

54ABT16245W-QML 数据手册

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Absolute Maximum Ratings (Note 1)  
If Military/Aerospace specified devices are required,  
please contact the National Semiconductor Sales Office/  
Distributors for availability and specifications.  
Current Applied to Output  
in LOW State (Max)  
twice the rated IOL (mA)  
DC Latchup Source Current  
Over Voltage Latchup (I/O)  
−500 mA  
10V  
Storage Temperature  
Ambient Temperature under Bias  
Junction Temperature under Bias  
Ceramic  
−65˚C to +150˚C  
−55˚C to +125˚C  
Recommended Operating  
Conditions  
Free Air Ambient Temperature  
Military  
Supply Voltage  
Military  
−55˚C to +175˚C  
VCC Pin Potential to  
Ground Pin  
−55˚C to +125˚C  
−0.5V to +7.0V  
−0.5V to +7.0V  
Input Voltage (Note 2)  
Input Current (Note 2)  
Voltage Applied to Any Output  
in the Disabled or  
+4.5V to +5.5V  
(∆V/∆t)  
−30 mA to +5.0 mA  
Minimum Input Edge Rate  
Data Input  
50 mV/ns  
Enable Input  
20 mV/ns  
Power-off State  
−0.5V to 5.5V  
−0.5V to VCC  
Note 1: Absolute maximum ratings are values beyond which the device may  
be damaged or have its useful life impaired. Functional operation under these  
conditions is not implied.  
in the HIGH State  
Note 2: Either voltage limit or current limit is sufficient to protect inputs.  
DC Electrical Characteristics  
Symbol  
Parameter  
ABT16245  
Units  
VCC  
Conditions  
Min Typ Max  
VIH  
Input HIGH Voltage  
2.0  
V
V
Recognized HIGH Signal  
Recognized LOW Signal  
IIN = −18 mA (OEn, T/Rn)  
IOH = −3 mA (An, Bn)  
VIL  
Input LOW Voltage  
0.8  
VCD  
VOH  
Input Clamp Diode Voltage  
Output HIGH Voltage  
−1.2  
V
Min  
Min  
Min  
Min  
Max  
54ABT 2.5  
V
54ABT 2.0  
54ABT  
V
IOH = −24 mA (An, Bn)  
IOL = 48 mA (An, Bn)  
VOL  
IIH  
Output LOW Voltage  
Input HIGH Current  
0.55  
V
5
5
7
µA  
VIN = 2.7V (OEn, T/Rn) (Note 3)  
VIN = VCC (OEn, T/Rn)  
VIN = 7.0V (OEn, T/Rn)  
IBVI  
IBVIT  
IIL  
Input HIGH Current  
Breakdown Test  
µA  
µA  
µA  
V
Max  
Max  
Max  
0.0  
Input HIGH Current  
Breakdown Test (I/O)  
Input LOW Current  
100  
VIN = 5.5V (An, Bn)  
−5  
−5  
VIN = 0.5V (OEn, T/Rn) (Note 3)  
VIN = 0.0V (OEn, T/Rn)  
VID  
Input Leakage Test  
4.75  
IID = 1.9 µA (OEn, T/Rn)  
All Other Pins Grounded  
IIH + I  
OZH  
Output Leakage Current  
Output Leakage Current  
50  
µA  
µA  
0 −  
5.5V  
VOUT = 2.7V (An, Bn); OE = 2.0V  
IIL + I  
OZL  
−50  
0 −  
5.5V  
VOUT = 0.5V (An, Bn); OE = 2.0V  
VOUT = 0.0V (An, Bn)  
IOS  
ICEX  
IZZ  
Output Short-Circuit Current  
Output High Leakage Current  
Bus Drainage Test  
−100  
−275  
50  
mA  
µA  
µA  
Max  
Max  
0.0  
VOUT = V  
(An, Bn)  
CC  
100  
VOUT = 5.50V (An, Bn);  
All Others GND  
ICCH  
ICCL  
ICCZ  
Power Supply Current  
Power Supply Current  
Power Supply Current  
100  
60  
µA  
mA  
µA  
Max  
Max  
Max  
All Outputs HIGH  
All Outputs LOW  
100  
OEn = VCC, T/Rn = GND or VCC  
All others at VCC or GND  
ICCT  
Additional ICC/Input  
Outputs Enabled  
Outputs TRI-STATE  
Outputs TRI-STATE  
2.5  
2.5  
50  
mA  
mA  
µA  
VI = V  
− 2.1V  
CC  
Max  
OEn, T/ Rn VI = VCC − 2.1V  
Data Input VI = VCC − 2.1V  
All others at VCC or GND  
3
www.national.com  
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