生命周期: | Active | 包装说明: | DIP-8 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8541.40.95.00 | 风险等级: | 5.68 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大正向电流: | 0.02 A |
最大正向电压: | 1.7 V | 最大绝缘电压: | 1500 V |
JESD-609代码: | e4 | 安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT |
元件数量: | 1 | 最大通态电流: | 0.8 A |
最大通态电阻: | 1 Ω | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 光电设备类型: | TRANSISTOR OUTPUT SSR |
最大功率耗散: | 0.8 W | 最长响应时间: | 0.006 s |
子类别: | Optocoupler - Transistor Outputs | 表面贴装: | NO |
端子面层: | GOLD | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
53111-2PC | MII | POWER MOSFET OPTOCOUPLER |
获取价格 |
|
53111-2XA | MII | POWER MOSFET OPTOCOUPLER |
获取价格 |
|
53111-2XC | MII | POWER MOSFET OPTOCOUPLER |
获取价格 |
|
53111-2YA | MII | POWER MOSFET OPTOCOUPLER |
获取价格 |
|
53111-2YC | MII | POWER MOSFET OPTOCOUPLER |
获取价格 |
|
53111-2ZA | MII | POWER MOSFET OPTOCOUPLER |
获取价格 |