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40HF60M

更新时间： 2024-02-26 13:57:30

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NAINA		二极管
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1页	74K
描述
SILICON POWER DIODES

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40HF60M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

40HF60M 数据手册

40HF/40HFR

NAINA

SILICON POWER DIODES

DO-5

FEATURES

•

All Diffused Series

40 HF/ HFR

Available in Normal & Reverse Polarity

Industrial Grade

POLARITY

Ø 4.0

Available In Avalanche Characteristic

* Available in metric and UNF thread

ELECTRICALSPECIFICATIONS

Reverse

Normal

17 A/F

11.5

M8 x 1.25

F(AV)

Maximum Average Forward

40A

1.2V

Ø 8.0

Current Te=140 C

VFM

I_FRM

Maximum peak forward

voltage drop @ Rated IF(AV)

Maximum peak one cycle

(non-rep) surge current 10 m sec

Maximum peak repetitive

surge current

POLARITY

500 A

200 A

Reverse

Normal

17 A/F

1200A Sec

I tMaximum I t rating (non-rep.)

for 5 to 10 m sec

11.5

M 8 x 1.25

THERMALMECHANICALSPECIFICATIONS

θJC

Maximum thermal resistance Junction to case

1⁰C/W

Operating Junction Temp.

Storage temperature

Mounting torque

(Non-lubricated threads)

Approx, weight

-65⁰C to 150⁰C

-65⁰C to 200⁰C

0.4 M-kg min,

0.6 M-kg max

13.5 & 30 gms.

T_stg

ELECTRICALRATINGS

TYPE

V_RRM

40HF/HFR

Max. repetitive peak reverse

voltage (v)

100

120

140

160

200 400 600

800 1000

1200 1400 1600

V_R(RMS)

V_R

Max. R.M.S. reverse voltage (V) 70

140 280 420

200 400 600

560

700

840

980 1120

Max. D.C. Blocking Voltage (V)

100

800 1000

1200 1400 1600

Recommended R.M.S. working

Voltage(v)

160 240

320

200

400

200

480

200

560

200

640

200

I_R(AV)

Max. Average reverse leakage

200

200 200 200

current @ VRMM Tc 25⁰C uA

NAINA SEMICONDUCTOR LTD

D95,SECTOR 63,NOIDA(INDIA)

e-mail: sales@nainasemi.com, web site :www.nainasemi.com

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