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40FDR02

更新时间： 2022-02-26 10:19:12
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尼尔 - NELLSEMI /
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Fast Recovery Diodes

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40FDR02 数据手册

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RoHS  
40FD(R)Series RoHS  
SEMICONDUCTOR  
Nell High Power Products  
FORWARD CONDUCTION  
40FD(R)  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
TEST CONDITIONS  
40  
A
Maximum average forward current  
at maximum case temperature  
IF(AV)  
180° conduction, half sine wave  
ºC  
A
85  
63  
IF(RMS)  
IFRM  
Maximum RMS forward current  
Maximum peak repetitive forward current  
220  
400  
Sinusoidal half wave, 30° conduction  
t = 10ms  
A
Sinusoidal half wave, 100% VRRM  
Maximum peak, one-cycle  
non-reptitive surge current  
reapplied, initial TJ =TJ maximum  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
t = 8.3ms  
t = 10ms  
420  
475  
IFSM  
A
Sinusoidal half wave, no voltage  
reapplied, initial TJ =TJ maximum  
500  
800  
732  
1128  
1038  
100% VRRM reapplied,  
initial TJ =TJ maximum  
A2s  
Maximum l²t for fusing  
I2t  
no voltage reapplied,  
initial TJ =TJ maximum  
t = 8.3ms  
Maximum l²√t for fusing(1)  
I2√t  
A2√s  
t = 0.1 ms to 10 ms, no voltage reapplied  
11281  
Maximum value of threshold voltage  
V
1.081  
6.33  
1.95  
V
mΩ  
V
F(TO)  
TJ = 125°C  
r
Maximum value of forward slope resistance  
Maximum forward voltage drop  
F
VFM  
TJ = 25°C; lFM = 125A  
Note : (1) l2t for time tx =I2√t √tx  
SWITCHING  
40FD(R)  
02 to 06 08 to 12  
PARAMETER  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNIT  
TJ = 25°C, IF = 0.5A, IR = 1.0A,  
IRR = 250mA (RG#1 CKT)  
200  
500  
TJ = 25°C, IF = 1A to VR = 30V,  
-dlF/dt = 100 A/µs  
Typical reverse recovery time  
trr  
ns  
70  
180  
TJ = 25°C, -dlF/dt = 25 A/µs,  
lFM = π x rated lF(AV)  
200  
160  
500  
750  
TJ = 25°C, IF = 1A to VR = 30V,  
-dlF/dt = 100 A/µs  
Typical reverse recovered charge  
nC  
Qrr  
TJ = 25°C, -dlF/dt = 25 A/µs,  
lFM = π x rated lF(AV)  
240  
1300  
Page 2 of 6  
www.nellsemi.com  
123456

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