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3N80

更新时间： 2023-12-26 09:00:04

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鲁光 - LGE		晶体管场效应晶体管
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场效应晶体管

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3N80 数据手册

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3 N 8 0

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol Test conditions

MIN

TYP MAX

UNIT

OFF CHARACTERISTICS

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-body Leakage

BV_DSS

I_DSS

V_GS=0V,I_D=250μA

V_DS=800V, V_GS=0V

V_DS=0V, V_GS=±30V

800

-

-

-

-

1

V

-

-

μA

μA

±10

I_GSS

ON CHARACTERISTICS

Gate Threshold Voltage

V_GS(th)

V_DS=V_GS, I_D=250μA

3

-

3.75

3.8

4.5

4.5

V

Static drain-Source on-resistance

R_DS(ON)V_GS=10V,I_D=1.25A

Ω

gFs

V_DS=15V,I_D=1.25A

-

2.1

-

S

Forward Transconductance

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Input capacitance

C_ISS

-

-

-

485

57

-

-

-

Output capacitance

C_OSS

C_RSS

V_DS=25V,V_GS=0V,f=1.0MHz

pF

Reverse transfer capacitance

11

SWITCHING CHARACTERISTICS

Turn-On Delay Time

Rise Time

t_D(ON)

tr

t_D(OFF)

tf

-

-

-

-

-

-

-

17

27

-

-

-

-

-

-

-

ns

ns

V_DD= 400V,

I_D= 1.25A,

R_G= 4.7Ω，

V_GS= 10V

Turn-Off Delay Time

Fall Time

36

ns

40

ns

Total Gate Charge

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Qg

19

nC

nC

nC

V

_DS= 640V

Qgs

Qgd

I_D= 2.5A

3.2

10.8

V_GS= 10V,

SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Drain-Source diode forward voltage

V_SD

V_GS=0V,I_s=2.5A

-

-

-

-

1.6

2.5

V

A

Maximum Continuous Drain-Source Diode

I_S

Forward Current

Maximum Pulsed Drain-Source Diode

Forward Current

I_SM

-

-

10

A

-

-

-

-

trr

384

nS

nC

Body Diode Reverse Recovery Time

Body Diode Reverse Recovery Charge

V_GS=0V ,Is=2.5A,

dI/dt=100A/μs

Qrr

1600

http://www.lgesemi.com

mail:lge@lgesemi.com

Revision:20170701-P1

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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