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3EZ1_07

更新时间: 2022-04-23 23:00:11
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德欧泰克 - DIOTEC 稳压二极管
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2页 91K
描述
Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)

3EZ1_07 数据手册

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3EZ1 ... 3EZ200 (3 W)  
3EZ1 ... 3EZ200 (3 W)  
Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)  
Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage  
Version 2006-04-23  
Maximum power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
3 W  
Ø 3±0.05  
Nominal Z-voltage  
1...200 V  
Nominale Z-Spannung  
Plastic case  
Kunststoffgehäuse  
DO-15  
DO-204AC  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
0.4 g  
Ø 0.8±0.05  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Standard packaging taped in ammopack  
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard.  
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.  
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen  
Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
3EZ-series  
3 W 1)  
Power dissipation – Verlustleistung  
TA = 25°C  
TA = 25°C  
Ptot  
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms  
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms  
PZSM  
60 W  
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+150°C  
-50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 38 K/W 1)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to lead  
RthL  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite  
23  
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
2
3
Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen  
The 3EZ1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”.  
The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole.  
Die 3EZ1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index  
“F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.  
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
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