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3EZ170D5-T3

更新时间: 2024-02-02 02:25:44
品牌 Logo 应用领域
WTE 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 98K
描述
Zener Diode, 170V V(Z), 5%, 3W, Silicon, Unidirectional, DO-15,

3EZ170D5-T3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.34
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-15JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:3 W标称参考电压:170 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:4.4 mA

3EZ170D5-T3 数据手册

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®
3EZ3.3D5 – 3EZ200D5  
WON-TOP ELECTRONICS  
3.0  
2.4  
1.8  
190  
170  
150  
130  
110  
90  
VZ @ IZT  
Measured at lead length  
9.5mm from case.  
1.2  
0.6  
0
70  
50  
30  
10  
-10  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
1
10  
100 200  
TL, LEAD TEMPERATURE (°C)  
Fig. 1 Power Derating Curve  
VZ, ZENER VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Temperature Coefficients  
10000  
1000  
100  
10  
1000  
100  
10  
TJ = 25°C  
Z(RMS) = 0.1 IZ(DC)  
I
TJ = 25°C  
IZT = 1.0mA  
VZ = 150V  
VZ = 91V  
VZ = 62V  
IZT = 10mA  
VZ = 22V  
VZ = 6.8V  
IZT = 20mA  
1
1
0.5  
1
10  
100  
500  
1
10  
100  
IZT, ZENER TEST CURRENT (mA)  
Fig. 3 Dynamic Resistance vs. Zener Current  
VZ, ZENER VOLTAGE (V)  
Fig. 3 Dynamic Resistance vs. Zener Voltage  
10  
1000  
Zero Bias  
1
50% VZ Bias  
100  
0.1  
TJ = 25°C  
Pulse Width = 300µs  
1% Duty Cycle  
TJ = 25°C  
f = 1MHz  
0.01  
10  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
1
10  
100  
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
Fig. 5 Typical Forward Characteristics  
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)  
Fig. 6 Junction Capacitance vs. Nominal Zener Voltage  
www.wontop.com  
2
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  

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