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37LV65-IL

更新时间： 2024-01-06 08:34:09

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美国微芯 - MICROCHIP		存储内存集成电路可编程只读存储器 OTP只读存储器电动程控只读存储器时钟
页数	文件大小	规格书
12页	92K
描述
36K, 64K, and 128K Serial EPROM Family

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37LV65-IL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP8,.25
针数：	8	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	10 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
长度：	4.9 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP8,.25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	电源：	3.3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.75 mm
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	3.9 mm
Base Number Matches：	1

37LV65-IL 数据手册

37LV36/65/128

FIGURE 11-2: READ CHARACTERISTICS AT END OF ARRAY TIMING

RESET/OE

CLK

DATA

CEO

T CDF

LAST BIT

T OCK

FIRST BIT

TOOE

TOCE

T OCE

TABLE 11-2: READ CHARACTERISTICS AT END OF ARRAY

AC Testing Waveform: VIL = 0.2V; VIH = 3.0V

AC Test Load: 50 pF

VOL = VOL_MAX; VOH = VOH_MIN

Limits 3.0V ≤ Vcc ≤ Limits 4.5V ≤ Vcc ≤

6.0V 6.0V

Symbol

Parameter

Units

Conditions

Min.

Max.

Min.

Max.

TCDF

CLK to Data Float Delay

—

Notes 1, 2

TOCK CLK to CEO Delay

TOCE CE to CEO Delay

TOOE RESET/OE to CEO Delay

Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.

2: Float delays are measured with output pulled through 1kΩ to VLOAD = VCC/2.

1996 Microchip Technology Inc.

DS21109E-page 5

1 2 3 456 7 8...12

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