5秒后页面跳转
33LV408RPFI-20 PDF预览

33LV408RPFI-20

更新时间: 2024-02-16 15:36:54
品牌 Logo 应用领域
麦斯威 - MAXWELL 存储静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 217K
描述
4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM

33LV408RPFI-20 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer零件包装代码:DFP
包装说明:LDFP-32针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.77
Is Samacsys:N最长访问时间:20 ns
JESD-30 代码:R-PDFP-F32长度:23.62 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DFP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.937 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:16.38 mm
Base Number Matches:1

33LV408RPFI-20 数据手册

 浏览型号33LV408RPFI-20的Datasheet PDF文件第6页浏览型号33LV408RPFI-20的Datasheet PDF文件第7页浏览型号33LV408RPFI-20的Datasheet PDF文件第8页浏览型号33LV408RPFI-20的Datasheet PDF文件第9页浏览型号33LV408RPFI-20的Datasheet PDF文件第10页浏览型号33LV408RPFI-20的Datasheet PDF文件第11页 
33LV408  
4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM  
Product Ordering Options  
Model Number  
33LV408  
XX  
F
X
-XX  
Option Details  
20 = 20 ns  
Feature  
Access Time  
25 = 25 ns  
30 = 30 ns  
Monolithic  
Screening Flow  
S = Maxwell Class S  
B = Maxwell Class B  
I = Industrial (testing @ -55°C,  
+25°C, +125°C)  
E = Engineering (testing @ +25°C)  
F = Flat Pack  
Package  
RP = RAD-PAK® package  
Radiation Feature  
4 Megabit CMOS SRAM  
Base Product  
Nomenclature  
04.02.04 REV 2  
All data sheets are subject to change without notice 12  
©2004 Maxwell Technologies  
All rights reserved.  

与33LV408RPFI-20相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
33LV408RPFI-25 MAXWELL 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM

获取价格

33LV408RPFI-30 MAXWELL 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM

获取价格

33LV408RPFS-20 MAXWELL 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM

获取价格

33LV408RPFS-25 MAXWELL 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM

获取价格

33LV408RPFS-30 MAXWELL 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM

获取价格

33N10 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor

获取价格