31DQ10GTRPBF

更新时间： 2024-01-27 12:41:33

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威世 - VISHAY		整流二极管高功率电源
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5页	81K
描述
Schottky Rectifier, 3.3 A

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31DQ10GTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	DO-201	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.39	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.69 V
JEDEC-95代码：	DO-201	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	210 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	3.3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向电流：	4000 µA
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

31DQ10GTRPBF 数据手册

31DQ09G, 31DQ10G

Schottky Rectifier, 3.3 A

Vishay High Power Products

ELECTRICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

0.85

0.97

0.69

0.80

0.1

UNITS

3 A

T_J= 25 °C

6 A

Maximum forward voltage drop

See fig. 1

(1)

V_FM

3 A

T_J= 125 °C

6 A

T_J= 25 °C

Maximum reverse leakage current

See fig. 2

(1)

I_RM

_R= Rated V_R

T_J= 125 °C

Typical junction capacitance

Typical series inductance

C_T

L_S

V_R= 5 V_DC(test signal range 100 kHz to 1 MHz) 25 °C

Measured lead to lead 5 mm from package body

Rated V_R

110

9.0

Maximum voltage rate of charge

dV/dt

10 000

V/µs

Note

(1)

Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2 %

THERMAL - MECHANICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum junction and storage

temperature range

T_J, T_Stg

- 40 to 150

°C

Maximum thermal resistance,

junction to ambient

DC operation

Without cooling fin

R_thJA

R_thJL

°C/W

Typical thermal resistance,

junction to lead

DC operation

1.2

Approximate weight

Marking device

0.042

oz.

31DQ09G

Case style C-16

31DQ10G

www.vishay.com

For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com

Document Number: 93322

Revision: 06-Nov-08

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