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30S2P

更新时间： 2024-02-26 15:26:22

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	106K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, T-18, 2 PIN

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30S2P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	T-18, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.84
应用：	MEDIUM POWER	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	3 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

30S2P 数据手册

M C C

Micro Commercial Components

30S1

thru

30S10

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

3 Amp

RoHS Compliant. See ordering information)

Medium Power

Silicon Rectifier

50 - 1000 Volts

•

Peak Reverse Voltages Through 1000 Volts

Glass Passivated Chip and High Surge Current Capability

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Maximum Ratings

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

•

T-18

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Reccurrent

Peak

Reverse

Voltage

100V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

30S1

30S2

70V

140V

100V

200V

30S1

30S2

200V

30S3

30S4

30S5

30S6

30S8

300V

400V

500V

600V

800V

210V

280V

350V

420V

560V

300V

400V

500V

600V

800V

30S3

30S4

30S5

30S6

30S8

Cathode

30S10

1000V

700V

1000V

30S10

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

3.0A

Average Forward

Current

I_F(AV)

T_A= 100°C

Peak Forward Surge

Current

Maximum

I_FSM

80A

8.3ms, half sine

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

V_F

1.0V

I_FM= 3.0A;

T_J= 25°C(Note 2)

I_R

5µA

10µA

T_J= 25°C

T_J= 100°C

DIMENSIONS

INCHES

MIN

DIM

MAX

.350

.145

.042

---

MAX

8.89

3.68

1.06

---

NOTE

Typical Junction

Capacitance

C_J

100pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

.330

8.39

3.31

.130

.038

0.97

1.00

25.40

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

2.Pulse test: Pulse width 300 µsec, Duty cycle 1%

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: 4

2008/01/01

12 3

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与30S2P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
30S3	MICROSEMI	3 AMP MEDIUM POWER SILICON RECTIFIER DIODES	获取价格
30S3	MCC	3 Amp Medium Power Silicon Rectifier 50 - 1000 Volts	获取价格
30S3	NJSEMI	Diode Switching 300V 3A 2-Pin Case R	获取价格
30S-3009-0154	WINCHESTER	IC Socket, SIP30, 30 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, Press Fit,	获取价格
30S3-AP	MCC	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 300V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-	获取价格
30S3-B	MCC	Rectifier Diode,	获取价格