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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 最大击穿电压： | 132 V | 最小击穿电压： | 120.6 V |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 30000 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 8 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 108 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 30KPA108AE3TR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 108V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R |
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| 30KPA108A-HR | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 108V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 30KPA108A-HRA | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 108V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H |
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| 30KPA108ATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 108V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
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| 30KPA108ATRE3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 108V V(RWM), Unidirectional, |
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| 30KPA108C | RFE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 108V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, RO |
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| 30KPA108C | LITTELFUSE |
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30KPA系列可专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响 |
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| 30KPA108C | NJSEMI |
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Diode TVS Single Bi-Dir 108V 30KW 2-Pin Case P600 T/R |
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| 30KPA108CA | NJSEMI |
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STAND-OFF VOLTAGE-30 TO 288 Volts 30000 Watt Peak Pulse Power |
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| 30KPA108CA | MDE |
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GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
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