是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | O-PALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.7 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED |
最大击穿电压: | 132.66 V | 最小击穿电压: | 120.6 V |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | JESD-609代码: | e3 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 30000 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 8 W | 最大重复峰值反向电压: | 108 V |
表面贴装: | NO | 技术: | AVALANCHE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
30KPA108CATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 108V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PL |
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30KPA108E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 108V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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30KPA108TRE3 | MICROSEMI |
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Transient Suppressor, |
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30KPA110 | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 180V 30KW 2-Pin |
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30KPA110A | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 180V 30KW 2-Pin |
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30KPA110C | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 180V 30KW 2-Pin |
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30KPA110CA | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 180V 30KW 2-Pin |
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30KPA120 | LITTELFUSE |
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30KPA系列可专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响 |
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30KPA120 | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
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30KPA120 | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 120V 30KW 2-Pin Case P600 T/R |
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