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30KPA120A

更新时间： 2024-09-13 20:11:59

品牌	Logo	应用领域
RFE		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	284K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6 (P600), 2 PIN

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30KPA120A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6 (P600), 2 PIN
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.69	其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压：	146.8 V	最小击穿电压：	134 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	最大非重复峰值反向功率耗散：	30000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	8 W
最大重复峰值反向电压：	120 V	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

30KPA120A 数据手册

TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

RoHS

30KPA Series

30000 Watts

FEATURES

• Glass passivated chip junction

• Available in uni-directional & bi-directional

Voltage Range 28 to 288 Volts

30000 Watts Peak Power

8.0 Watts Steady State

• 30000W surge capability at 10×100 s waveform,

duty cycle: 0.01% ꢀ

• Excellent clamping capability

• Low incremental surge resistance

• Fast response time: Typically less than 1.0ps from

0 volts to BV min

• Typical IR less 2 A above 12V

• High temperature soldering capability:

250℃/10 seconds/.0.495” (12.5mm) Lead

length/5lbs. (2.3kg) tension

R-6 (P600)

Dimensions in inches and (millimeters)

MECHANICAL DATA

• Molded plastic body (UL 94V-0 rated)

• Axial leads, solderable per MIL-STD 202, Method 208

• Color band denotes cathode, except for bipolar

• Weight: 2.6 gram

MAXIMUM RATINGS & ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave,60Hz, resistive or inductive load.

For capactitive load, derate current by 20%

Parameter

Symbol

Pppm

Value

Unit

Peak Power Dissipation at T_A=25℃,Tp=1ms

Watts

Minimum 30000

(Note 1)

Steady State Power Dissipation at T_L=75℃

Lead Lengths. "0.495” (12.5mm) Note 2

8.0

Pm (AV)

Watts

Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single

Half sine-wave Superimposed on Rated Load

(JEDEC method) (Note 3)

400

IFSM

Amps

TJ,TSTG

℃

-55 to +175

Operating and Storage Temperature

NOTE: 1. Non-repetitive current pulse, per Fig-1 and derated above TA=25℃ per Fig. 2 .

2. Mounted on Copper Pad Area of 1.6×1.6” (40×40mm) per Fig-5

3. 10ms Single Half Sine-Wave or Equivalent Square Wave, Duty Cycle=4 Pulses Per Minutes Maximum.

Devices for Bipolar Applications

1. Electrical Characteristics Apply in Both Directions.

Page 1 of 3

C3TVS6

2011.10.27

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
30KPA120A/B	YAGEO	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode,
30KPA120A-B	LITTELFUSE	获取价格	Transient Voltage Suppression Diodes
30KPA120AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, H
30KPA120AE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, R
30KPA120A-HR	LITTELFUSE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
30KPA120A-HRA	LITTELFUSE	获取价格	30KPA-HRA高可靠性系列专门用于保护敏感电子设备，使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起
30KPA120ATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P
30KPA120ATRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 120V V(RWM), Unidirectional,
30KPA120C	MICROSEMI	获取价格	Transient Suppressor,
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