是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PLASTIC PACKAGE-2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.44 |
最小击穿电压: | 120.6 V | 外壳连接: | ISOLATED |
最大钳位电压: | 175.2 V | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
JESD-30 代码: | O-PALF-W2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值反向功率耗散: | 30000 W |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | BIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 1.61 W |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 108 V |
子类别: | Transient Suppressors | 表面贴装: | NO |
技术: | AVALANCHE | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
30KPA108E3 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 108V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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30KPA108TRE3 | MICROSEMI |
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Transient Suppressor, |
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30KPA110 | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 180V 30KW 2-Pin |
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30KPA110A | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 180V 30KW 2-Pin |
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30KPA110C | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 180V 30KW 2-Pin |
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30KPA110CA | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 180V 30KW 2-Pin |
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30KPA120 | LITTELFUSE |
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30KPA系列可专门用于保护敏感电子设备,使其免受雷击和其他瞬态电压事件引起的瞬态电压影响 |
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30KPA120 | SENSITRON |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 120V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, P |
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30KPA120 | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 120V 30KW 2-Pin Case P600 T/R |
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30KPA120A | LITTELFUSE |
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Transient Voltage Suppression Diodes Axial Leaded - 30000W |
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