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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> 30KP75CA-BP
30KP75CA-BP PDF预览

30KP75CA-BP

更新时间： 2024-11-19 13:04:31
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 瞬态抑制器二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 229K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6, 2 PIN

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30KP75CA-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.69其他特性：PRSM-MIN, UL RECOGNIZED
最大击穿电压：91.7 V最小击穿电压：83.8 V
击穿电压标称值：87.8 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：119.4 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：30000 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：8 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：75 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

30KP75CA-BP 数据手册

 浏览型号30KP75CA-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号30KP75CA-BP的Datasheet PDF文件第3页 
30KP28(C)(A)  
THRU  
30KP288(C)(A)  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
30000 Watts Transient  
Voltage Suppressor  
28 to 288 Volt  
xꢀ 30000 Watts Peak Pulse Power Capability on 10/1000us  
waveform  
xꢀ Glass passivated junction  
xꢀ Plastic package Devices and Low incremental surge resistance  
xꢀ High temperature soldering guaranteed  
xꢀ Fast response time: typically less than 1.0ps from 0 Volts  
to BV, bidirectonal less than 10ns  
R-6  
•
UL Recognized File # E331408  
Mechanical Data  
D
xꢀ Polarity: Color band denotes positive end (cathode) except  
Bipolar  
Weight: 0.07 ounce, 2.5 grams  
xꢀ Terminals: plated Axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
x
Method 2026  
·
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisture Sensitivity Level 1  
A
Cathode  
Maximum Ratings  
B
xꢀ Operating Temperature: -55к to +175к  
xꢀ Storage Temperature: -55к to +175к  
xꢀ Minimum 30000 watts of Peak Pulse Power Capability on  
10/1000us waveform  
D
xꢀ 8 Walts of Steady State Power Dissipation at RL=75к,Lead  
lengths .375’’, (9.5mm)  
xꢀ Forward Surge Current: 400 Amps, 1/20 sec @ 25oC  
C
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
DIMENSIONS  
INCHES  
MIN  
.340  
.340  
.048  
MM  
MIN  
8.60  
8.60  
1.20  
25.40  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.360  
.360  
.052  
---  
MAX  
9.10  
9.10  
1.30  
---  
NOTE  
1.000  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 3  
123

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30KP75CA-BP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
30KPA78CA-B LITTELFUSE

功能相似

 Transient Voltage Suppression Diodes
30KPA75CA-B LITTELFUSE

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 Transient Voltage Suppression Diodes
30KPA75CA LITTELFUSE

功能相似

 Transient Voltage Suppression Diodes Axial Leaded - 30000W

与30KP75CA-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
30KP75CAE3TR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
30KP75CA-LF WTE

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
30KP75C-AP MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
30KP75CA-T3-LF WTE

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
30KP75CA-TP MCC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, ROH
30KP75CATR MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
30KP75S LGE

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 		Glass passivated junction chip
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 		Glass passivated junction chip
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