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30EPF04PBF

更新时间： 2024-02-28 16:34:56
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 237K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, TO-247AC, ROHS COMPLIANT, MODIFIED TO-247AC, 2 PIN

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30EPF04PBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.58其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：FAST SOFT RECOVERY HIGH POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.41 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流：350 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.16 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

30EPF04PBF 数据手册

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30EPF..PbF/30CPF..PbF Soft Recovery Series  
Fast Soft Recovery  
Rectifier Diode, 30 A  
Vishay High Power Products  
1000  
100  
TJ = 25 °C  
TJ = 150 °C  
10  
30.PF.. Series  
1
0
1
2
3
4
5
Instantaneous Forward Voltage (V)  
Fig. 7 - Forward Voltage Drop Characteristics  
0.20  
0.15  
0.10  
0.05  
0
4.0  
I
FM = 30 A  
IFM = 30 A  
30.PF.. Series  
TJ = 25 °C  
30.PF.. Series  
TJ = 25 °C  
IFM = 20 A  
IFM = 10 A  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0
IFM = 20 A  
IFM = 5 A  
I
FM = 1 A  
IFM = 10 A  
IFM = 5 A  
IFM = 1 A  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)  
Fig. 8 - Recovery Time Characteristics, TJ = 25 °C  
dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)  
Fig. 10 - Recovery Charge Characteristics, TJ = 25 °C  
0.5  
10  
30.PF.. Series  
TJ = 150 °C  
30.PF.. Series  
TJ = 150 °C  
9
IFM = 30 A  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
IFM = 20 A  
IFM = 10 A  
IFM = 30 A  
IFM = 20 A  
I
FM = 10 A  
FM = 5 A  
IFM = 1 A  
I
IFM = 5 A  
IFM = 1 A  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)  
Fig. 9 - Recovery Time Characteristics, TJ = 150 °C  
dI/dt - Rate of Fall of Forward Current (A/µs)  
Fig. 11 - Recovery Charge Characteristics, TJ = 150 °C  
www.vishay.com  
4
For technical questions, contact: diodes-tech@vishay.com  
Document Number: 94100  
Revision: 08-Jul-08  
1234567

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