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30-F2166BA150RW01-L267G19

更新时间： 2023-09-03 20:33:49

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描述
Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current

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30-F2166BA150RW01-L267G19 数据手册

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30-F2166BA150RW01-L267G19

datasheet

Characteristic Values

Symbol

Parameter

Conditions

Values

Typ

Unit

V_CE[V] I_C[A]

V_DS[V] I_D[A] T_j[°C]

V_GE[V]

V_GS[V]

Min

Max

V_F[V]

I_F[A]

Brake Sw. Protection Diode

Static

1,23

1,66

1,62

1,97⁽¹⁾

V_F

I_R

Forward voltage

7,5

125

Reverse leakage current

Thermal

V_r= 1200 V

µA

λ_paste= 3,4 W/mK

(PSX)

(2)

R_th(j-s)

Thermal resistance junction to sink

1,83

K/W

Rectifier Diode

Static

1,12

1,04

1,21⁽¹⁾

1,1⁽¹⁾

V_F

I_R

Forward voltage

106

125

Reverse leakage current

V_r= 1600 V

100

µA

Thermal

λ_paste= 3,4 W/mK

(PSX)

(2)

R_th(j-s)

Thermal resistance junction to sink

0,32

K/W

Thermistor

Static

Δ_R/R

Rated resistance

Deviation of R₁₀₀

Power dissipation

Power dissipation constant

B-value

kΩ

R₁₀₀= 1484 Ω

100

-5

mW/K

1,5

B_(25/50)

Tol. ±1 %

3962

4000

B_(25/100)

B-value

Vincotech Thermistor Reference

(1)

Value at chip level

(2)

Only valid with pre-applied Vincotech thermal interface material.

28 Sep. 2021 / Revision 5

1...3 4 567 8 9...21

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