2SK303

更新时间： 2024-01-16 11:04:48

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描述
Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

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2SK303 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.19
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	0.02 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK303 数据手册

UTC 2SK303

JFET

Low-Frequency General-Purpose

Amplifier Applications

FEATURES

* Ideal for potentiometers, analog switches, low

frequency amplifiers, constant current supplies, and

impedance conversion.

SOT-23

1: Drain

2: Source 3: Gate

UNIT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ^(Ta=25℃)

PARAMETER

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Drain Voltage

Gate Current

SYMBOL

VDSS

VGDS

Tstg

RATINGS

-30

200

℃

Drain Current

Allowable Power Dissipation

Junctin Temperature

Storage Temperature

150

℃

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃)

PARAMETER

Gate-to-Drain

SYMBOL

V(BR)GDS

IGSS

TEST CONDITIONS

IG=-10μA

MIN

-30

TYP

MAX

UNIT

Ω

Gate-to-Source Leakage Current

Zero-Gate Voltage Drain Current

Cutoff Voltage

VGS=-20V

VDS=10V, VGS=0

V^DS=10V, ID=1μA

VDS=10V, VGS=0, f=1MHz

VDS=10mV, VGS=0

-1.0

12.0*

-4

IDSS*

VGS(off)

| yfs |

0.6*

2.5

-1

6.0

1.5

250

Forward Transfer Admittance

Input Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Drain-to- Source ON Resistance

CiSS

CrSS

RDS (ON)

CLASSIFICATION OF IDSS

RANK

MARKING CODE

IDSS (mA)

0.6 ~ 1.5

1.2 ~ 3.0

2.5 ~ 6.0

5.0 ~ 12.0

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

QW-R206-071,A

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